Qualcomm apuesta por 3 nm N3X en su chip más potente para portátiles

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Qualcomm apuesta por 3 nm N3X en su chip más potente para portátiles

Qualcomm ha apostado fuerte por el Snapdragon X2 Elite Extreme, su SoC más ambicioso para portátiles, priorizando el máximo rendimiento posible incluso a costa de la eficiencia. Un nuevo informe detalla que este chip utiliza el proceso de fabricación 3 nm N3X de TSMC, una litografía poco común en productos comerciales y enfocada específicamente a altas frecuencias y voltajes elevados. Gracias a ello, el X2 Elite Extreme puede alcanzar hasta 5,0 GHz en uno o dos núcleos, una cifra muy poco habitual en chips ARM para portátiles. El diseño del SoC también destaca por su enfoque integral. Qualcomm emplea un System-in-Package (SiP) que acerca memoria y CPU, aumentando el ancho de banda hasta 228 GB/s, una cifra superior a la del Apple M5, aunque todavía por debajo del M4 Pro. El chip integra 31.000 millones de transistores y un bus de memoria de 192 bits, evitando cuellos de botella en tareas intensivas. Sin embargo, el uso del nodo N3X implica menor densidad y eficiencia energética frente a procesos como el N3P. De hecho, el X2 Elite Extreme puede superar los 100 W en cargas sin restricciones y mantenerse en torno a 40 W sostenidos en ciertos chasis, cifras elevadas para un portátil. Aun así, los primeros benchmarks no lo colocan como líder absoluto: en pruebas como Cinebench o 3DMark, los chips M4 Pro y M4 Max de Apple siguen siendo más rápidos, especialmente en GPU. En conjunto, el Snapdragon X2 Elite Extreme representa el máximo esfuerzo de Qualcomm por competir en la gama alta de portátiles, con un enfoque radical en potencia bruta. El reto ahora será demostrar que esta estrategia puede traducirse en ventajas reales en el uso diario frente a rivales ya muy consolidados.

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