Galaxy S25 FE aparece en benchmarks: Exynos 2400 y 8GB de RAM

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Galaxy S25 FE aparece en benchmarks: Exynos 2400 y 8GB de RAM

Samsung se prepara para lanzar el Galaxy S25 FE, una versión más asequible de su línea insignia, que podría convertirse en una opción muy interesante para quienes buscan buena relación calidad-precio. Un nuevo benchmark filtrado en X por Abhishek Yadav revela el rendimiento gráfico y de IA del dispositivo, mostrando resultados prometedores que lo sitúan a la par con modelos de gama más alta. En concreto, el Galaxy S25 FE obtuvo 13.776 puntos en la prueba OpenCL de GPU y puntuaciones de 2.124 (Single Precision), 2.039 (Half Precision) y 3.009 (Quantized) en pruebas de inteligencia artificial. Estos resultados son comparables a los del chip Exynos 2400e que integra el Galaxy S24 FE, lo que indica que el nuevo modelo también estaría alimentado por esta plataforma —aunque algunos rumores apuntan al Exynos 2400 estándar. Además, el dispositivo llegaría con 8 GB de RAM, aunque muchos esperan un aumento a 12 GB, algo cada vez más común incluso en la gama media. En el apartado fotográfico, incluiría una cámara frontal de 12 MP, posiblemente la misma que la del Galaxy S25, y un conjunto trasero con sensores de 50 MP principal, 12 MP ultra gran angular y 8 MP teleobjetivo. La pantalla sería una AMOLED FHD+ de 6,7 pulgadas y 120 Hz, con marcos más delgados para una mejor ergonomía. Se espera también una batería de 4.700 mAh y que funcione con Android 16 de fábrica.

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[pozainax]

El robo a mano armada de Samsung de todos los años.