22/05/25, 22:00:20
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Nuevos chips UFS 4.1 de SK Hynix: hasta 4,3 GB/s y solo 0,85 mm de grosor
Nuevos chips UFS 4.1 de SK Hynix: hasta 4,3 GB/s y solo 0,85 mm de grosor
 La empresa de semiconductores SK Hynix ha presentado el primer almacenamiento UFS 4.1 del mundo con tecnología NAND flash de 321 capas, un avance notable respecto a la generación anterior de 238 capas. Este nuevo desarrollo no solo mejora el rendimiento, sino que también reduce el grosor del paquete de memoria a 0,85 mm, algo que, aunque parezca mínimo, resulta crucial para los smartphones ultradelgados de próxima generación, como el esperado Galaxy S25 Edge. En términos de rendimiento, esta memoria es 15% más rápida en lectura aleatoria y 40% más rápida en escritura aleatoria que la generación previa. La velocidad de lectura secuencial alcanza el límite máximo de la interfaz: 4,3 GB/s. Además, es un 7% más eficiente energéticamente, lo que se traduce en menor generación de calor y mayor sostenibilidad en uso continuo. Estos avances están pensados para mejorar el rendimiento de herramientas de IA en el dispositivo, ya que la mayor velocidad de lectura secuencial permite cargar modelos en RAM de forma más ágil. Igualmente, la mejora en las operaciones aleatorias beneficiará la multitarea en los smartphones. El almacenamiento estará disponible en versiones de 512 GB y 1 TB, dejando de lado la opción de 256 GB. Esta decisión será importante al elegir nuevos teléfonos en 2025, ya que los modelos más básicos seguirán utilizando versiones anteriores como UFS 3.1. Además, SK Hynix trabaja en adaptar esta tecnología de 321 capas a SSDs destinados tanto al consumidor como a centros de datos, reforzando su apuesta por soluciones de alto rendimiento y bajo consumo.
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