Las próximas memorias volarán un 30% más rápido: Samsung presenta su quinta generación de V-NAND

[Nonamed]

Las próximas memorias volarán un 30% más rápido: Samsung presenta su quinta generación de V-NAND



Leemos en xatakamovil.com

<< Samsung acaba de anunciar el arranque de la producción en masa de las memorias para móvil que anunció el pasado junio. Se trata de las nuevas V-NAND de quinta generación y, entre otras consecuencias, van a aumentar la velocidad de los SSD de 256GB. El nuevo protocolo de construcción de las V-NAND llevará al nacimiento de las memorias más veloces hasta la fecha de toda la indústria, confirmando Samsung como el líder indiscutible del sector de los semi-conductores, en el que reina desde hace años. Si a finales del año pasado nos maravillávamos con el anuncio de la fabricación de las primeras memorias con 512 GB de capacidad, construidas con 64 capas, Samsung nos desvela ahora un nuevo protocolo para sus discos de 256 GB. La nueva construcción establecerá memorias hechas con hasta 96 capas. Las nuevas memorias de Samsung también aumentan la velocidad de transmisión entre memoria y disco de almacenamiento gracias a la introducción, inédita en la indústria, de la interfaz Toogle DDR 4.0. Incluir la interfaz Toogle DDR 4.0, que Samsung es la primera en aplicar, se ha traducido en un aumento de la velocidad de un 40% respecto a las memorias predecesoras que contaban con construcciones de 64 capas. La nueva interfaz supone tasas máximas de transmisión de hasta 1,4 Gbps. >>

fuente: xatakamovil.com

[Nonamed]

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[YoArnold83]

Interesante, ahora vuelan.