
22/07/26, 07:15:57
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Noticias HTCMania
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El Exynos 2700 podría superar los 4 GHz gracias a la evolución del proceso de 2 nanómetros de Samsung
El Exynos 2700 podría superar los 4 GHz gracias a la evolución del proceso de 2 nanómetros de Samsung

Una nueva filtración apunta a que el futuro Exynos 2700 podría convertirse en el procesador más ambicioso desarrollado por Samsung hasta la fecha. Si la compañía logra mejorar el rendimiento de su segunda generación del proceso de fabricación de 2 nanómetros, el nuevo chip podría superar la barrera de los 4 GHz en su núcleo principal. Las estimaciones indican que Samsung espera alcanzar una mayor eficiencia en la producción de obleas utilizando el nodo SF2P, una evolución del actual proceso de 2 nm GAA. Una mejora en el rendimiento de fabricación permitiría reducir pérdidas energéticas y mejorar la estabilidad de los transistores, facilitando el funcionamiento del procesador a frecuencias más elevadas. El objetivo sería alcanzar una velocidad cercana a los 4,2 GHz, aunque un aumento de frecuencia también implica un mayor consumo energético y más calor generado. Precisamente este último aspecto ha sido uno de los puntos débiles de generaciones anteriores de Exynos, por lo que Samsung también estaría preparando cambios en el encapsulado del chip y un nuevo sistema de disipación térmica para mantener un rendimiento sostenido durante más tiempo. En cualquier caso, toda esta información procede de filtraciones y todavía no existe confirmación oficial por parte de Samsung. Más allá de lograr una cifra llamativa de frecuencia, el verdadero desafío será ofrecer un rendimiento estable y eficiente en el uso diario. Si la compañía consigue resolver sus tradicionales problemas de temperatura, el Exynos 2700 podría convertirse en un importante salto adelante para sus futuros teléfonos de gama alta.
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