Samsung ya envía muestras de memoria HBM4E y toma ventaja en la carrera de la IA

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Samsung ya envía muestras de memoria HBM4E y toma ventaja en la carrera de la IA

Samsung vuelve a colocarse en cabeza dentro de la carrera por la memoria para inteligencia artificial. La compañía ha anunciado el envío de las primeras muestras de sus nuevos chips HBM4E, convirtiéndose en la primera empresa del sector en poner esta tecnología en manos de clientes para pruebas y validación. Estos nuevos módulos representan la séptima generación de memoria HBM de Samsung y llegan con mejoras importantes frente a los actuales HBM4. Según la compañía, ofrecen un rendimiento un 20% superior y una eficiencia energética un 16% mejor, dos aspectos fundamentales en centros de datos y aceleradores de IA donde cada vatio cuenta. Las nuevas memorias alcanzan velocidades de hasta 16 Gbps por pin y un ancho de banda total de 3,6 TB/s. Además, utilizan la tecnología DRAM de sexta generación de Samsung junto a una base lógica fabricada en proceso de 4 nm, lo que también ha permitido mejorar los rendimientos de fabricación y la disipación térmica. Uno de los aspectos más llamativos es la capacidad. Samsung prepara versiones de hasta 64 GB de HBM4E, aunque la primera configuración comercial será de 48 GB con una estructura de 12 capas. La compañía asegura además que la recepción de sus actuales chips HBM4 por parte de clientes del sector de la IA está siendo muy positiva. Con la demanda de hardware para inteligencia artificial creciendo a toda velocidad, Samsung quiere consolidarse como uno de los proveedores clave para gigantes como AMD, NVIDIA y otros desarrolladores de aceleradores avanzados.

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