Huawei Mate 9 / 9 PRO Subforo para el Huawei Mate 9 y el Mate 9 Pro

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  #61  
Viejo 27/06/17, 21:20:43
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En esa imagen no salen las ufs Toshiba, hay algunas que superan los 500 y llegan a 590, pero eso no quita que Huawei engaño a los compradores con publicidad engañosa.

Enviado desde mi MHA-L09 mediante Tapatalk
Correcto, como la que llevo yo ahora, porque es de un solo canal.

Repito: ¿publicidad engañosa? Claro. ¿Que esto importa un pimiento al 99% de los usuarios porque no afecta al uso del dispositivo del usuario medio? Pues también.

¿Que está mal hecho por parte de Huawei y que no debe de volver a hacerlo? Así tiene que ser si o si.

Podéis estar seguros que en el próximo dispositivo que presenten, no serán tan específicos, y harán como el resto de compañías. Es decir, seguiremos recibiendo dispositivos con diferentes componentes (Samsung sin ir más lejos con sus memorias UFS 2.1 o 2.0, diferente procesador según mercado y diferentes sensores de cámara, Sony o ISOCELL), pero esta vez no será denunciable.

De modo que lo único que harán es como el resto de compañías:

Tipo de memoria de almacenamiento: UFS

Tipo de memoria RAM: LPDDR


¿Que hay gente a la que le gusta matar moscas a cañonazos? Otra verdad. Pero todo, absolutamente todo lo expuesto por cada una de las partes, es y debe ser respetada por todos.

Edito: la tabla antes posteada por mi parte, son las relacionadas con el Galaxy S8 y no aparecen las Toshiba, si alguien tiene la tabla completa a mano, la cambiaré con gusto.

Edito2: Pongo aquí la lista de tipos de memoria cortesía de XDA ------> https://forum.xda-developers.com/p10...t3591355/page3

(Click para mostrar/ocultar)

SAMSUNG OR TOSHIBA Chips list below>>>>>>>>>>>>>>>>>>..

Samsung UFS flash memory is not a complete list (including examples of naming rules) by Mo Yun GS (April 25, 2017)

Interface protocol: UFS2.0, HS-G2 2-Lane (5.8Gbps)

KLUCG4J1BB-B0B1 MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

KLUDG8J1BB-B0B1 MLC UFS2.0 128GB 11.5x13x1.2 FBGA153

Interface protocol: UFS2.0, HS-G3 1-Lane (5.8Gbps)

KLUAG2G1CE-B0B1 MLC UFS2.0 16GB 11.5x13x1.0 FBGA153

KLUBG4G1CE-B0B1 MLC UFS2.0 32GB 11.5x13x1.0 FBGA153

KLUCG4J1CB-B0B1 MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

KLUDG8J1CB-B0B1 MLC UFS2.0 128GB 11.5x13x1.2 FBGA153

Interface protocol: UFS2.0, HS-G3 2-Lane (11.6Gbps)

KLUCG4J1EB-B0B1 MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

KLUDG8J1EB-B0B1 MLC UFS2.0 128GB 11.5x13x1.2 FBGA153

KLUEG8U1EM-B0B1 TLC UFS2.0 256GB 11.5x13x1.2 FBGA153

Interface protocol: UFS2.1, HS-G3 2-Lane (11.6Gbps)

KLUCG4J1ED - B0C1 MLC UFS2.1 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

KLUDG8V1EE-B0C1 TLC UFS2.1 128GB 11.5x13x1.0 FBGA153

KLUEG8U1EM-B0C1 TLC UFS2.1 256GB 11.5x13x1.0 FBGA153
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Naming rules for example: KLUDG8V1EE-B0C1 (UFS2.1, TLC)

Character 1: K: "Samsung Memory" Samsung memory (shipping / flash)
Character 2: L: "MOVI NAND, MCP" flash memory or MCP product
Character 3: U: flash interface type is "UFS"
Character 4-5 DG: Memory density is 128GB (AG for 16GB, BG for 32GB, CG for 64GB, EG for 256GB)
Character 6: 8: Composition is NAND8 + Microcontroller package contains 8 NAND chips and microcontrollers
Character 7: V: NAND Small Clasification (Type or Density) is TLC The flash architecture is TLC
Character 8: 1: Supply voltage, mode voltage, mode
Character 9: E: Controller version controller version (related to HS-Gx x-Lane)
Character 10: E: Flash type E-die flash particle type E-die (M, A, B, C, D, E, F, G)
Character 11: -: hyphen
Character 12: B: Package type is FBGA lead-free, halogen-free lead-free halogen-free FBGA package
Character 13: 0: Revision None The original version is not modified
Character 14: C: Speed ​​high speed (related to interface protocol version)
Character 15: 1: Normal sample Normal sample

Where the 7th character is related to the flash architecture:
1) SLC (Single-Level Cell) is 1 or 9;
2) TLC (Triple-Level Cell) is V, U or Z;
3) MLC (Multi-Level Cell) is A, B, C, D, E, G, J, K and so on

-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Toshiba UFS flash memory is not a complete list (including naming rules example) by ink rhyme GS (April 25, 2017)


First Generation (January 2013) 24nm Process, Interface Protocol: UFS1.1, HS-G2 1-Lane (2.9Gbps)

THGLF0G9B8JBAIE MLC UFS1.1 64GB 12x16x1.2 FBGA169

Second generation (April 2014) 19nm process, interface protocol: UFS2.0, HS-G3 2-Lane (11.6Gbps)

THGLF2G8C4KBADR MLC UFS2.0 32GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGLF2G9C8KBADG MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.2 FBGA153

Third generation (before December 2015 *) 15nm process, interface protocol: UFS2.0, HS-G3 2-Lane (11.6Gbps)

THGLF2G8J4LBATR MLC UFS2.032GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGLF2G9J8LBATR MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

Fourth generation (before March 2016) 15nm process, interface protocol: UFS2.0, HS-G3 2-Lane (11.6Gbps)

THGBF7G8K4LBATR MLC UFS2.0 32GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGBF7G9L4LBATR MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGBF7T0L8LBATA MLC UFS2.0 128GB 11.5x13x1.04 FBGA153

Fifth generation (October 2016) 15nm process, interface protocol: UFS2.1, HS-G3 2-Lane (11.6Gbps)

THGAF4G8N2LBAIR MLC UFS2.1 32GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGAF4G9N4LBAIR MLC UFS2.1 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGAF4T0N8LBAIR MLC UFS2.1 128GB 11.5x13x1.0 FBGA153

* Accurate start delivery time not found

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Naming rules for example: THGAF4G9N4LBAIR (UFS2.1, 15nm, MLC)
Character 1: T: "Toshiba" Toshiba
Character 2: H: "Multi-chip" multi-chip package
Character 3: G: Symbol of Type of flash type "IC" integrated circuit
Character 4: A: Symbol of "voltage type" indicates the supply voltage type
Character 5: F: NAND Interface type is "UFS" Flash interface type is UFS
Character 6: 4: Unique code of controller revision The built-in controller version is 4
Character 7: G: Memory density calculated by G bits The capacity is represented by G bits
Character 8: 9: Memory density is 2 ^ 9 = 512G bits (64GB) 2 of 9th power, 512G bits, ie 64GB
Character 9: N: Symbol of "cell level" (cell technology) architecture for the MLC
Character 10: 4: Number of stacked chips is 4 package contains the number of stacked chips 4
Character 11: L: Symbol of "Design rule" 15nm (K for 19nm, J for 24nm) Process is 15nm
Character 12-13: BA: Package type is BGA lead free and halogen free lead free halogen free BGA package
Character 14: I: Symbol of Mode "industrial version" -25ºC to 85ºC Industrial version
Character 15: R: Symbol of "Package size" 11.5mmx13mmx1.0mm package size

Among them, the first nine characters and flash memory architecture:
1) SLC (Single-Level Cell) is S or H;
2) DLC (Dua-Level Cell) is D or E [infrequent];
3) TLC (Triple-Level Cell) is T or U;
4) MLC (Multi-Level Cell) is B, C, J, K, L, N and so on.

Última edición por ShepardSR Día 27/06/17 a las 22:10:49.
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  #62  
Viejo 27/06/17, 22:24:47
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daca2 daca2 no está en línea
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Ya no me acuerdo si fue en éste o el otro hilo puse mis capturas y llega a 800, según me dijeron eran las 2.0, de ahí que pregunte las diferencias.
Imágenes Adjuntas
Tipo de Archivo: jpg Screenshot_20170608-182834.jpg (58.3 KB, 113 visitas)
Tipo de Archivo: jpg Screenshot_20170608-183353.jpg (82.9 KB, 115 visitas)
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  #63  
Viejo 28/06/17, 00:42:10
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antz_77 antz_77 no está en línea
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 Cita: Originalmente Escrito por foc5979 Ver Mensaje
Las principales mejoras y mas importantes no son en velocidad, ya que las pones ponlas todas.

Saludos

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Yo las he puesto todas, no hay más. En resto de características, hablan precisamente del rendimiento.

En el artículo que indicabas :

http://www.chinaflashmarket.com/News/2016-08/153925


, hacen sólo referencia a las memorias de SK-HYNIX. Casualmente ellos mismos incumplen sus propias indicaciones. Sus memorias USF 2.1 no dan el rendimiento que indican, estando a la par de las 2.0 de Toshiba.
En cambio las samsung 2.0 si alcanzan el rendimiento que SK-HYNIX indicaba para sus 2.1

El problema real es que Huawei nos engañó (SIN DUDA) , pero a efectos prácticos, cambio una memoria de menor velocidad, por una de mayor velocidad.
El resto de características de la USF 2.1, no es algo que el usuario vaya a notar. Por eso a casi nadie le importa.
__________________
When the wind of the change blows, some build walls, others build windmills

Última edición por antz_77 Día 28/06/17 a las 00:55:32.
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  #64  
Viejo 28/06/17, 08:51:53
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Malevus Malevus no está en línea
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 Cita: Originalmente Escrito por ShepardSR Ver Mensaje
Correcto, como la que llevo yo ahora, porque es de un solo canal.

Repito: ¿publicidad engañosa? Claro. ¿Que esto importa un pimiento al 99% de los usuarios porque no afecta al uso del dispositivo del usuario medio? Pues también.

¿Que está mal hecho por parte de Huawei y que no debe de volver a hacerlo? Así tiene que ser si o si.

Podéis estar seguros que en el próximo dispositivo que presenten, no serán tan específicos, y harán como el resto de compañías. Es decir, seguiremos recibiendo dispositivos con diferentes componentes (Samsung sin ir más lejos con sus memorias UFS 2.1 o 2.0, diferente procesador según mercado y diferentes sensores de cámara, Sony o ISOCELL), pero esta vez no será denunciable.

De modo que lo único que harán es como el resto de compañías:

Tipo de memoria de almacenamiento: UFS

Tipo de memoria RAM: LPDDR


¿Que hay gente a la que le gusta matar moscas a cañonazos? Otra verdad. Pero todo, absolutamente todo lo expuesto por cada una de las partes, es y debe ser respetada por todos.

Edito: la tabla antes posteada por mi parte, son las relacionadas con el Galaxy S8 y no aparecen las Toshiba, si alguien tiene la tabla completa a mano, la cambiaré con gusto.

Edito2: Pongo aquí la lista de tipos de memoria cortesía de XDA ------> https://forum.xda-developers.com/p10...t3591355/page3

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SAMSUNG OR TOSHIBA Chips list below>>>>>>>>>>>>>>>>>>..

Samsung UFS flash memory is not a complete list (including examples of naming rules) by Mo Yun GS (April 25, 2017)

Interface protocol: UFS2.0, HS-G2 2-Lane (5.8Gbps)

KLUCG4J1BB-B0B1 MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

KLUDG8J1BB-B0B1 MLC UFS2.0 128GB 11.5x13x1.2 FBGA153

Interface protocol: UFS2.0, HS-G3 1-Lane (5.8Gbps)

KLUAG2G1CE-B0B1 MLC UFS2.0 16GB 11.5x13x1.0 FBGA153

KLUBG4G1CE-B0B1 MLC UFS2.0 32GB 11.5x13x1.0 FBGA153

KLUCG4J1CB-B0B1 MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

KLUDG8J1CB-B0B1 MLC UFS2.0 128GB 11.5x13x1.2 FBGA153

Interface protocol: UFS2.0, HS-G3 2-Lane (11.6Gbps)

KLUCG4J1EB-B0B1 MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

KLUDG8J1EB-B0B1 MLC UFS2.0 128GB 11.5x13x1.2 FBGA153

KLUEG8U1EM-B0B1 TLC UFS2.0 256GB 11.5x13x1.2 FBGA153

Interface protocol: UFS2.1, HS-G3 2-Lane (11.6Gbps)

KLUCG4J1ED - B0C1 MLC UFS2.1 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

KLUDG8V1EE-B0C1 TLC UFS2.1 128GB 11.5x13x1.0 FBGA153

KLUEG8U1EM-B0C1 TLC UFS2.1 256GB 11.5x13x1.0 FBGA153
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Naming rules for example: KLUDG8V1EE-B0C1 (UFS2.1, TLC)

Character 1: K: "Samsung Memory" Samsung memory (shipping / flash)
Character 2: L: "MOVI NAND, MCP" flash memory or MCP product
Character 3: U: flash interface type is "UFS"
Character 4-5 DG: Memory density is 128GB (AG for 16GB, BG for 32GB, CG for 64GB, EG for 256GB)
Character 6: 8: Composition is NAND8 + Microcontroller package contains 8 NAND chips and microcontrollers
Character 7: V: NAND Small Clasification (Type or Density) is TLC The flash architecture is TLC
Character 8: 1: Supply voltage, mode voltage, mode
Character 9: E: Controller version controller version (related to HS-Gx x-Lane)
Character 10: E: Flash type E-die flash particle type E-die (M, A, B, C, D, E, F, G)
Character 11: -: hyphen
Character 12: B: Package type is FBGA lead-free, halogen-free lead-free halogen-free FBGA package
Character 13: 0: Revision None The original version is not modified
Character 14: C: Speed ​​high speed (related to interface protocol version)
Character 15: 1: Normal sample Normal sample

Where the 7th character is related to the flash architecture:
1) SLC (Single-Level Cell) is 1 or 9;
2) TLC (Triple-Level Cell) is V, U or Z;
3) MLC (Multi-Level Cell) is A, B, C, D, E, G, J, K and so on

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Toshiba UFS flash memory is not a complete list (including naming rules example) by ink rhyme GS (April 25, 2017)


First Generation (January 2013) 24nm Process, Interface Protocol: UFS1.1, HS-G2 1-Lane (2.9Gbps)

THGLF0G9B8JBAIE MLC UFS1.1 64GB 12x16x1.2 FBGA169

Second generation (April 2014) 19nm process, interface protocol: UFS2.0, HS-G3 2-Lane (11.6Gbps)

THGLF2G8C4KBADR MLC UFS2.0 32GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGLF2G9C8KBADG MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.2 FBGA153

Third generation (before December 2015 *) 15nm process, interface protocol: UFS2.0, HS-G3 2-Lane (11.6Gbps)

THGLF2G8J4LBATR MLC UFS2.032GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGLF2G9J8LBATR MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

Fourth generation (before March 2016) 15nm process, interface protocol: UFS2.0, HS-G3 2-Lane (11.6Gbps)

THGBF7G8K4LBATR MLC UFS2.0 32GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGBF7G9L4LBATR MLC UFS2.0 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGBF7T0L8LBATA MLC UFS2.0 128GB 11.5x13x1.04 FBGA153

Fifth generation (October 2016) 15nm process, interface protocol: UFS2.1, HS-G3 2-Lane (11.6Gbps)

THGAF4G8N2LBAIR MLC UFS2.1 32GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGAF4G9N4LBAIR MLC UFS2.1 64GB 11.5x13x1.0 FBGA153

THGAF4T0N8LBAIR MLC UFS2.1 128GB 11.5x13x1.0 FBGA153

* Accurate start delivery time not found

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Naming rules for example: THGAF4G9N4LBAIR (UFS2.1, 15nm, MLC)
Character 1: T: "Toshiba" Toshiba
Character 2: H: "Multi-chip" multi-chip package
Character 3: G: Symbol of Type of flash type "IC" integrated circuit
Character 4: A: Symbol of "voltage type" indicates the supply voltage type
Character 5: F: NAND Interface type is "UFS" Flash interface type is UFS
Character 6: 4: Unique code of controller revision The built-in controller version is 4
Character 7: G: Memory density calculated by G bits The capacity is represented by G bits
Character 8: 9: Memory density is 2 ^ 9 = 512G bits (64GB) 2 of 9th power, 512G bits, ie 64GB
Character 9: N: Symbol of "cell level" (cell technology) architecture for the MLC
Character 10: 4: Number of stacked chips is 4 package contains the number of stacked chips 4
Character 11: L: Symbol of "Design rule" 15nm (K for 19nm, J for 24nm) Process is 15nm
Character 12-13: BA: Package type is BGA lead free and halogen free lead free halogen free BGA package
Character 14: I: Symbol of Mode "industrial version" -25ºC to 85ºC Industrial version
Character 15: R: Symbol of "Package size" 11.5mmx13mmx1.0mm package size

Among them, the first nine characters and flash memory architecture:
1) SLC (Single-Level Cell) is S or H;
2) DLC (Dua-Level Cell) is D or E [infrequent];
3) TLC (Triple-Level Cell) is T or U;
4) MLC (Multi-Level Cell) is B, C, J, K, L, N and so on.
Hombre......si no te importa que te metan memoria de 1 canal y a otros usuarios de doble canal.......pues apaga y vamonos
Basándome en que aquí jamas se habló de experiencia de usuario para las denuncias
,Todo lo que me habléis sobre vuestra experiencia con el mate me parece genial ,incluso si os hace el desayuno es la reostia.....pero os lo hace con memoria ufs 2.0 y no con la mencionada en su web ufs2.1

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  #65  
Viejo 28/06/17, 12:19:34
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Malevus yo sí hablé de ello y muy satisfecho con la experiencia
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  #66  
Viejo 28/06/17, 12:24:48
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 Cita: Originalmente Escrito por zenc Ver Mensaje
Malevus yo sí hablé de ello y muy satisfecho con la experiencia
De ti lo único que veo es bbbbbbbb yyyyyy sssss tttttttt

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  #67  
Viejo 28/06/17, 12:58:13
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Hombre......si no te importa que te metan memoria de 1 canal y a otros usuarios de doble canal.......pues apaga y vamonos
Basándome en que aquí jamas se habló de experiencia de usuario para las denuncias
,Todo lo que me habléis sobre vuestra experiencia con el mate me parece genial ,incluso si os hace el desayuno es la reostia.....pero os lo hace con memoria ufs 2.0 y no con la mencionada en su web ufs2.1

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No es que no me importe, es que no me afecta en el día a día. Como ya te he dicho, seguirán haciéndolo como el resto de las compañías, simplemente no siendo tan específico en las especificaciones con su próximo lanzamiento.

Mira, te lo pongo más claro. El lanzamiento del Honor 9 (filial de Huawei) y échale un vistazo a las especificaciones, dos veces no tropiezan con la misma piedra:

http://www.hihonor.com/es/products/m...or9/index.html

¿Crees que el que no sean tan específicos harán que sus futuros compradores dejen de hacerlo? Ya te lo digo yo: NO.
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  #68  
Viejo 28/06/17, 13:00:11
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 Cita: Originalmente Escrito por ShepardSR Ver Mensaje
No es que no me importe, es que no me afecta en el día a día. Como ya te he dicho, seguirán haciéndolo como el resto de las compañías, simplemente no siendo tan específico en las especificaciones con su próximo lanzamiento.

Mira, te lo pongo más claro. El lanzamiento del Honor 9 (filial de Huawei) y échale un vistazo a las especificaciones, dos veces no tropiezan con la misma piedra:

http://www.hihonor.com/es/products/m...or9/index.html

¿Crees que el que no sean tan específicos harán que sus futuros compradores dejen de hacerlo? Ya te lo digo yo: NO.
Lógicamente que 2 veces no tropiezan faltaría mas!!!!!!
Con 1 les valdrá o haremos que les valga

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  #69  
Viejo 28/06/17, 13:11:32
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Lógicamente que 2 veces no tropiezan faltaría mas!!!!!!
Con 1 les valdrá o haremos que les valga

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A lo que me refiero es que lo único que harán es omitir información y no ser tan específicos, no poner en sus próximos dispositivos solamente memorias UFS 2.1 de doble canal de la marca Samsung.

¿De que sirven las denuncias? Pues son simplemente a título personal, y uno está en su derecho de pedir compensación o que le devuelvan el dinero por publicidad engañosa. No te pienses que esto hará que cambien su modus operandi en cuanto a los componentes internos de sus dispositivos.

También digo: ¿Quienes de los que han denunciado, antes de que saliera todo a la luz, sabía lo que significaban las siglas UFS? Ya te lo digo yo, de entre 100, siendo generosos, puede que uno lo supiera.

A mi no me paga nadie, de hecho yo saqué de la caché de Google el cambio en la página en relación a las memorias UFS 2.1 (aunque luego lo pusieron como estaba si no me equivoco).

De modo que os deseo que todo salga adelante y que los pocos que reclaméis os den lo que es vuestro, el dinero, o cambio de terminal de similares características (que ya os digo yo que no os garantizará memorias UFS 2.1 si lo comprásteis por esto).

Un saludo
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  #70  
Viejo 28/06/17, 13:15:16
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A lo que me refiero es que lo único que harán es omitir información y no ser tan específicos, no poner en sus próximos dispositivos solamente memorias UFS 2.1 de doble canal de la marca Samsung.

¿De que sirven las denuncias? Pues son simplemente a título personal, y uno está en su derecho de pedir compensación o que le devuelvan el dinero por publicidad engañosa. No te pienses que esto hará que cambien su modus operandi en cuanto a los componentes internos de sus dispositivos.

También digo: ¿Quienes de los que han denunciado, antes de que saliera todo a la luz, sabía lo que significaban las siglas UFS? Ya te lo digo yo, de entre 100, siendo generosos, puede que uno lo supiera.

A mi no me paga nadie, de hecho yo saqué de la caché de Google el cambio en la página en relación a las memorias UFS 2.1 (aunque luego lo pusieron como estaba si no me equivoco).

De modo que os deseo que todo salga adelante y que los pocos que reclaméis os den lo que es vuestro, el dinero, o cambio de terminal de similares características (que ya os digo yo que no os garantizará memorias UFS 2.1 si lo comprásteis por esto).

Un saludo
Estas un poco pesado con lo de las 2.1 Samsung doble canal eh
No he visto a nadie escribir eso en todo lo que llevamos con esto....que no es poco tiempo
Quizas son las que tú quieres?
Yo lo único que quiero es que pongan que lo ponía en la web ni más ni menos ni doble ni triple canal


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  #71  
Viejo 28/06/17, 13:37:18
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Estas un poco pesado con lo de las 2.1 Samsung doble canal eh
No he visto a nadie escribir eso en todo lo que llevamos con esto....que no es poco tiempo
Quizas son las que tú quieres?
Yo lo único que quiero es que pongan que lo ponía en la web ni más ni menos ni doble ni triple canal


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Tranquilo... Se puede mantener un diálogo sin ser tan arisco.

Yo me remito a los datos y a los hechos, y esta es la última vez que lo digo:

¿Quien cambiaría su Mate 9 con memoria UFS 2.0 Samsung por una Hynix 2.1 visto lo visto y teniendo conocimiento del rendimiento de éstas? Ya te lo digo yo: nadie.

Y repito: Huawei ha pecado de ser muy específico, algo que no volverá a hacer, como el resto de compañías. Así funciona esto...
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Viejo 28/06/17, 13:45:14
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 Cita: Originalmente Escrito por ShepardSR Ver Mensaje
Tranquilo... Se puede mantener un diálogo sin ser tan arisco.

Yo me remito a los datos y a los hechos, y esta es la última vez que lo digo:

¿Quien cambiaría su Mate 9 con memoria UFS 2.0 Samsung por una Hynix 2.1 visto lo visto y teniendo conocimiento del rendimiento de éstas? Ya te lo digo yo: nadie.

Y repito: Huawei ha pecado de ser muy específico, algo que no volverá a hacer, como el resto de compañías. Así funciona esto...
Pero si la experiencia de usuario no va a notar nada de una memoria a otra,no? Por que no querría cambiarla?
De verdad que no os aclaráis eh
Vamos a ver en qué quedamos da igual que memoria tener ,no? Pues que nos pongan ufs 2.1 total la ufs 2.0 de Toshiba es lo mismo,no?
Ahora que hay stock que nos la pongan a los que queremos y asunto concluido...
Tampoco es tan complicado
Decir que no se nota de la Samsung a la Toshiba es tenerlos bien gordos

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  #73  
Viejo 28/06/17, 13:50:49
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Yo he desistido ayer de continuar redactando la demanda porque me estaba costando dios y ayuda encontrar jurisprudencia que se ajustara como un guante a este peculiar caso y que apoyara/justificara mi pretensión de reembolso o sustitución más indemnización de daños y perjuicios, así como aportar pruebas (diferentes a las reclamaciones por email, teléfono, en tienda y en Consumo) que pudieran ser aceptadas por un Juez que no sean simples pantallazos de la web de Huawei y de otras webs en dos fechas diferentes, así que he decidido no ir a juicio porque me he dado cuenta que tengo todas las de perder. Apenas hay jurisprudencia que apoye esta peculiar causa y sin una demanda bien fundamentada, no hay nada que hacer.

A los que acudáis finalmente a juicio, os deseo suerte, que la váis a necesitar.

Y, por cierto, en el anterior hilo que fue cerrado, el 1 de Mayo, yo escribí lo siguiente:

Y, respecto de las diferencias entre UFS 2.0 y UFS 2.1, en el otro hilo de XDA-Developers se dice que no es la velocidad el factor diferencial, sino una serie de mejoras y optimizaciones sobre UFS 2.0:

"c) About the differentiation between UFS2.0 and UFS2.1:

JESD220C Universal Flash Storage version 2.1 offers key improvements over earlier versions and will provide data security through the use of inline cryptography between the SoC and UFS Storage device.
UFS 2.1 defines the following updates over the prior version of the standard:

1) Inclusion of a Device Health Descriptor: the descriptor provides detailed information on the life of a device, thus allowing for better preventative maintenance, which is advantageous to most areas of the market and especially important in the automotive market.

2) Addition of Secure Write Protection: this allows for the use of fine-grained write protection as required by modern high-level operating systems (OS) and applications.

3) Field Firmware Update: enables the device vendor to improve performance and implement bug fixes, as well as facilitating the addition of new features in products that have already shipped to end customers.

4) Command priority: improves system performance, allowing the software to assign higher priority to more urgent tasks.

So the auxiliary functions are the differences between UFS2.0 and UFS2.1".

Aunque son funciones "auxiliares" que ningún usuario va a notar en el día a día ni van a influir en el rendimiento/velocidad.

Última edición por mario123 Día 28/06/17 a las 14:01:01.
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...¿Quien cambiaría su Mate 9 con memoria UFS 2.0 Samsung por una Hynix 2.1 visto lo visto y teniendo conocimiento del rendimiento de éstas? Ya te lo digo yo: nadie.
Yo, por supuesto, no lo cambiaría.
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Gracias de parte de:
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Yo, por supuesto, no lo cambiaría.
No esperaba menos.......

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  #76  
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No esperaba menos.......

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Ni yo esperaba menos de tu mala educación, tus malas maneras y tu grosería.
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Ni yo esperaba menos de tu mala educación, tus malas maneras y tu grosería.


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...Decir que no se nota de la Samsung a la Toshiba es tenerlos bien gordos
Es imposible, en el uso diario, notar una diferencia de rendimiento entre una UFS 2.0 de Samsung y una UFS 2.0 de Toshiba. Habría que darte un premio si tu ojo es capaz de descubrir una diferencia de 0,00000025 segundos. Sería de Libro Guinness. En fin, lo que hay que leer...
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Gracias de parte de:
  #79  
Viejo 28/06/17, 13:59:58
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 Cita: Originalmente Escrito por mario123 Ver Mensaje
Es imposible, en el uso diario, notar una diferencia de rendimiento entre una UFS 2.0 de Samsung y una UFS 2.0 de Toshiba. Habría que darte un premio si tu ojo es capaz de descubrir una diferencia de 0,00000025 segundos. Sería de Libro Guinness.
Pues ve preparandome el premio!!!

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  #80  
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Pues ve preparandome el premio!!!

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Sí, el premio al usuario con peor educación, más insultón/faltón y grosero. Ese lo tienes ganado desde hace meses y por diferencia abismal.
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