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Científicos crean la ‘UltraRAM’, una fusión entre memoria RAM y almacenamiento
Científicos crean la ‘UltraRAM’, una fusión entre memoria RAM y almacenamiento Leemos en teknofilo.com "Si eres aficionado a la tecnología, seguro que conoces la diferencia entre memoria RAM y almacenamiento. Si bien es cierto que la memoria RAM y las unidades SSD utilizan tipos de almacenamiento similares, la memoria flash, se utilizan de formas muy diferentes. La memoria RAM de los ordenadores requiere electricidad constante para mantener los datos en memoria, y si se va la energía, esos datos desaparecen. La RAM se utiliza para información que se necesita acceder rápidamente, pero no de forma permanente. El almacenamiento que se utiliza para guardar datos de manera permanente puede mantener los datos almacenados incluso cuando se corta la electricidad. Este tipo de almacenamiento se denomina «no volátil.»" fuente: teknofilo.com |
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#2
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#3
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¿Pero esto no es la RAM plus esa que se ha inventado Samsung o Xiaomi?
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#4
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Sobre la noticia, siempre morirá antes la parte no volatil que la volatil por estar siempre escribiendo en los mismos bits de los sectores, asi que es una noticia placebo que dudo mucho que se llegue a comercializar. |
#7
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Extended testing of devices reveals retention in excess of 1000 years and degradation-free endurance of over 10^7 program/erase cycles, surpassing very recent results for similar devices on GaAs substrates.
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Noticias, rumores y análisis de smartphones, tablets, wearables y otros gadgets Análisis de smartphones | Noticias | Rumores Última edición por Teknofilo Día 12/01/22 a las 01:30:17. |
#8
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Turbo Ram de tiempos del Windows vista, Ram Plus de Android, Ultra Ram... Parece qué el tiempo de las etiquetas comerciales no se limita al hardware
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Antes de cuestionar mi compra , termina de pagar la tuya
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#9
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Si no se comercializa, será por otra razón, pero porque la que tú dices va a ser que no:
Extended testing of devices reveals retention in excess of 1000 years and degradation-free endurance of over 10^7 program/erase cycles, surpassing very recent results for similar devices on GaAs substrates. |
#10
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No sé tú pero yo empiezo a leer el paper "Sample growth using molecular beam epitaxy commences with deposition of an AlSb nucleation layer to seed the growth of a GaSb buffer layer, followed by the III–V memory epilayers." y no me considero capacitado para poner en duda nada de lo que dicen.
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