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Los Galaxy S26 y S26+ también tendrán RAM ultra rápida de 10,7 Gbps
Samsung planea incorporar memoria LPDDR5X de 10,7 Gbps a toda su gama Galaxy S26, no solo al modelo Ultra. Esta memoria es un 25 % más rápida que la utilizada en la serie S25 (8,7 Gbps) y representa el mayor rendimiento disponible en RAM actualmente en producción masiva. La información proviene del conocido filtrador UniverseIce, quien además asegura que el almacenamiento de base partirá de 12 GB de RAM para todos los modelos: Galaxy S26, S26+ y S26 Ultra. El salto en la velocidad de la memoria no es un simple incremento técnico; se traduce en mejoras reales en el uso diario, especialmente en el rendimiento de la cámara. El aumento de ancho de banda permitirá cambios más rápidos entre sensores, una previsualización más fluida, un procesamiento de imagen más rápido y menos errores al fotografiar sujetos en movimiento, sobre todo en retratos. También se reducirán los tirones de fotogramas en grabaciones de vídeo, se mejorará la eficiencia térmica y se consumirá menos energía. Esta apuesta por una RAM más potente refuerza la idea de que Samsung quiere centrarse en la experiencia fotográfica como elemento diferenciador.

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