El futuro de las memorias ya está aquí: samsung presenta HBM3E y avances en GDDR7

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El futuro de las memorias ya está aquí: samsung presenta HBM3E y avances en GDDR7

Samsung ha organizado su Memory Tech Day, un evento especializado en tecnologías de memoria, donde la estrella ha sido la nueva memoria HBM3E, también conocida como Shinebolt. Esta nueva generación promete una mayor eficiencia y capacidad en comparación con su predecesora, HBM3. La HBM3E presenta un ancho de banda teórico máximo por pin de 9,8 Gb/s, un 50% más que la HBM3. Además, la capacidad máxima se incrementa de 24 GB a 36 GB. Esta memoria se está posicionando como una herramienta crucial en el ámbito de la inteligencia artificial (IA), un sector que exige grandes cantidades de ancho de banda. De hecho, NVIDIA ya ha integrado esta memoria en sus nuevos superchips para IA, los GH200. Aunque Samsung asegura que Shinebolt es un 10% más eficiente que su versión anterior, el aumento en la velocidad de operación prácticamente anula esta ventaja en eficiencia. Por otro lado, Samsung también ha ofrecido detalles sobre su próxima generación de memorias gráficas, las GDDR7. Estas memorias prometen un 33% más de ancho de banda y serán un 20% más eficientes que las GDDR6. Están destinadas no solo a tarjetas gráficas para gaming, sino también a soluciones de IA y automoción. Finalmente, en cuanto a procesos fotolitográficos, Samsung ya está trabajando en tecnologías de 11 nm y 10 nm, prometiendo módulos de hasta 100 Gbits en el futuro. Estas innovaciones apuntan a un futuro más eficiente y potente en el mundo de la memoria y los componentes electrónicos.

fuente

[acadio]

mi ordenador aún tiene GDDR3... qué tristeza!