Samsung fabrica la primera memoria DRAM de menos de 10 nm

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Samsung fabrica la primera memoria DRAM de menos de 10 nm

Samsung ha logrado lo que parecía una barrera infranqueable al fabricar el primer módulo de memoria DRAM que rompe oficialmente la frontera de los 10 nm. Este avance técnico se basa en un nuevo proceso denominado 10a que sitúa el tamaño del die entre los 9,5 y los 9,7 nm marcando un hito histórico para la industria de los semiconductores. La clave de este salto reside en una innovadora arquitectura de celda cuadrada denominada 4F que sustituye al diseño rectangular tradicional para aprovechar mucho mejor el espacio disponible. Gracias a este cambio estructural la compañía coreana ha conseguido disparar la densidad de almacenamiento entre un 30% y un 50% permitiendo fabricar memorias mucho más compactas y capaces. Además la integración de transistores de canal vertical y el uso de nuevos materiales como el IGZO ayudan a reducir las fugas de energía y mejoran la retención de datos. Aunque el desarrollo de estas obleas ya es una realidad tangible la producción en masa está programada para el año 2028 sirviendo de puente hacia las futuras memorias 3D DRAM. Es un movimiento estratégico vital para alimentar la demanda creciente de servidores enfocados en la inteligencia artificial y dispositivos móviles que necesitan cada vez más velocidad con un consumo eléctrico muy ajustado.

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