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noticia Huawei reconoce obstáculos en la fabricación de chips de 3 nm

Huawei reconoce obstáculos en la fabricación de chips de 3 nm


Huawei y SMIC están utilizando técnicas de compromiso para fabricar chips de 5 y 7 nm con equipos de litografía de ultravioleta profundo (UVP) de ASML. El multiple patterning, que implica transferir el patrón a la oblea en varias pasadas, y su versión más avanzada, el SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning), permiten incrementar la resolución del proceso litográfico. Sin embargo, estas técnicas no son ideales para maximizar el rendimiento y el coste de producción de los semiconductores. El uso de equipos de fotolitografía de ultravioleta extremo (UVE) sería lo óptimo para fabricar chips de 7, 5 y 3 nm, pero las sanciones de EEUU y Países Bajos impiden a los fabricantes chinos acceder a estos equipos. A pesar de estas limitaciones, SMIC y Huawei están fabricando chips avanzados, aunque no en las mejores condiciones. Zhang Ping’an, director general de la filial de Huawei dedicada a servicios en la nube, reconoció públicamente las dificultades para fabricar semiconductores de vanguardia durante la Conferencia de Redes Móviles en Suzhou, China. Zhang destacó que, aunque han logrado solucionar los problemas de fabricación de los chips de 7 nm, no pueden acceder a los equipos avanzados debido a las sanciones. Además, enfatizó la necesidad de maximizar el uso de estos chips de 7 nm, ya que son más competitivos que los de 5 nm. La producción de semiconductores de 3 nm es un desafío mayor sin acceso a la tecnología UVE, haciendo que los chips de TSMC sean mucho más competitivos. Esto plantea un reto significativo para SMIC y Huawei en la venta de sus circuitos integrados más avanzados fuera de China.

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