Qualcomm usará la refrigeración HPB de Samsung en el Snapdragon 8 Gen 6

**Noticias** · 06/02/26, 16:00:51

La carrera por el rendimiento en smartphones entra en una fase especialmente delicada, con los fabricantes empujando los límites del hardware hasta chocar con un obstáculo difícil de esquivar: el calor. En este contexto, Qualcomm estaría valorando adoptar una solución térmica desarrollada por Samsung para su próximo procesador de gama alta, el Snapdragon 8 Elite Gen 6. El objetivo es claro: permitir frecuencias superiores a 5 GHz sin comprometer la estabilidad ni la comodidad de uso. Los sistemas de refrigeración pasiva habituales, como las cámaras de vapor y las láminas de grafito, comienzan a mostrar sus límites en diseños cada vez más compactos. Para superar esta barrera, entra en juego la tecnología Heat Pass Block (HPB), ideada inicialmente para el Exynos 2600. Este enfoque rompe con el diseño tradicional en el que la memoria se sitúa directamente sobre el procesador, una disposición que tiende a atrapar el calor y dificulta su disipación. El sistema HPB modifica por completo esa arquitectura al colocar un disipador de cobre directamente sobre el silicio, desplazando la memoria a un lateral. Gracias a la alta conductividad del cobre, el calor se evacua con mayor rapidez y eficiencia. Las primeras estimaciones apuntan a una mejora térmica cercana al 16%, una diferencia que puede resultar decisiva cuando se busca mantener velocidades extremas de forma sostenida. Aunque el salto a un proceso de fabricación de 2 nanómetros ayuda a mejorar la eficiencia, no basta por sí solo para gestionar consumos tan elevados. Si Qualcomm adopta finalmente esta tecnología, el Snapdragon 8 Elite Gen 6 podría ofrecer mejor rendimiento sostenido en juegos y multitarea intensiva, reduciendo la necesidad de recortes automáticos de potencia. La incógnita ahora es si esta nueva arquitectura térmica estará a la altura del ambicioso listón de los 5 GHz.

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