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#1
29/05/18, 10:50:07
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Gate-all-around, la estructura de transistores cilíndricos con la que Samsung quiere llegar a los 3 nanómetros en 2020
Gate-all-around, la estructura de transistores cilíndricos con la que Samsung quiere llegar a los 3 nanómetros en 2020  Leemos en xatakamovil.com << De igual forma que Ant-Man demostró, en su película en solitario, que se podía romper la barrera subatómica a la hora de reducir su cuerpo, el mundo de los semiconductores lleva años empujando el límite teórico del silicio. Demostrando que las suposiciones iniciales eran incorrectas, y que el material es capaz aún de servir de base para los procesadores de muchas más generaciones. Pero tan importante o más es el tamaño de los transistores, que este año llegará a los 7 nanómetros en el entorno móvil, como la forma en la que éstos se engarzan. Las conexiones entre los mismos, que han de ser eficientes para ganar velocidad y producir la menor cantidad de electrones perdidos posible. Ahí es donde Samsung quiere entrar con una nueva estructura, la conocida como gate-all-around que les permitirá "bajar" hasta los 3 nanómetros en el año 2022. >> fuente: xatakamovil.com 
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#2
29/05/18, 10:50:17
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https://www.xatakamovil.com/samsung/...metros-en-2020
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#4
29/05/18, 12:04:45
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Que no innovan, leñññññe!
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#5
29/05/18, 17:25:49
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Samsung el número uno
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