Samsung rompe récords con su nueva RAM y SSD ultrarrápidos

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Samsung rompe récords con su nueva RAM y SSD ultrarrápidos

Samsung se prepara para deslumbrar en el CES 2026 con dos innovaciones clave: la nueva memoria LPDDR6 DRAM y el SSD PM9E1 Gen5 con formato ultracompacto M.2 22x42. Ambos productos han sido reconocidos con premios de innovación y su presentación oficial está prevista para el evento tecnológico en Las Vegas. La memoria LPDDR6, basada en un proceso de 12 nm, ofrecerá velocidades de hasta 10,7 Gbps, lo que supone un aumento del 11,5 % respecto a LPDDR5X, además de una mejora del 21 % en eficiencia energética. Este avance está pensado para responder a las crecientes demandas de IA, computación en el borde y plataformas móviles, con especial foco en rendimiento, eficiencia y seguridad. Su arquitectura escalable la posiciona como una opción versátil para aplicaciones móviles e industriales, incluso en entornos críticos. En cuanto al SSD PM9E1, Samsung apuesta por un diseño compacto que no sacrifica potencia. Este modelo alcanza velocidades de lectura de 14,8 GB/s y escritura de 13,4 GB/s, siendo uno de los Gen5 más rápidos en este tamaño. Equipado con el controlador “Presto” y memoria V8 TLC V-NAND, ofrecerá capacidades de hasta 4 TB, algo inédito en ese formato. Además, integra protocolos de seguridad avanzados como SPDM v1.2, lo que lo convierte en una opción ideal para IA local, gaming premium y dispositivos con espacio limitado. Samsung también anunciará novedades en tecnologías como GDDR7, consolidando su posición como líder en soluciones de memoria y almacenamiento de próxima generación.

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