SK hynix presenta HBS, el nuevo almacenamiento para potenciar la IA móvil

**Noticias** · 11/11/25, 07:00:33

SK hynix está desarrollando una nueva tecnología de almacenamiento llamada High Bandwidth Storage (HBS), diseñada para mejorar el rendimiento de la inteligencia artificial en dispositivos móviles. La idea central consiste en apilar múltiples chips de memoria DRAM y NAND en hasta dieciséis capas, pero con un giro: utilizar un innovador sistema de conexión llamado Vertical Fan-Out (VFO). A diferencia de los métodos tradicionales como Through-Silicon Via (TSV), el VFO conecta los chips mediante cables rectos en vertical, lo que acorta las distancias entre conexiones, reduce la pérdida de señal y mejora significativamente la velocidad de transmisión de datos. Esto no solo optimiza el flujo de datos, sino que también podría reducir costes de fabricación al simplificar el empaquetado. Esta mejora estructural haría posible que los móviles ejecuten funciones avanzadas de IA —como asistentes por voz o procesamiento de imagen— sin depender de la nube. Al trabajar de forma local, se reduce la latencia y se mejora la privacidad del usuario. SK hynix considera que este avance puede marcar un punto de inflexión en el desarrollo de IA embebida en smartphones y tablets. Por el momento, no se ha confirmado cuándo llegará esta tecnología al mercado ni qué chipsets serán compatibles. Aun así, representa un paso importante hacia una nueva generación de dispositivos móviles más rápidos, inteligentes y autónomos gracias a la IA local.

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