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Samsung prepara un Smartphone con 3GB de memoria RAM

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Samsung habría visto filtrado un futuro smartphone en fase de prototipo en pruebas etiquetado como “3Gb RAM“, la fuente, SamMobile, confirma lo indicado en la etiqueta y que en su interior alberga nada menos que 3 GB de memoria RAM DDR3. La misma fuente concluye afirmando que Samsung cambiará la línea de diseño y procederá a la eliminación del botón físico. Por ahora no se sabe mucho más, sólo que estos prototipos verían la luz el próximo año, pudiendo tratarse del nuevo Samsung Galaxy S IV (al menos en lo que a hardware se refiere) o el próximo Galaxy Nexus. Desconocemos el motivo de la adición de 3 GB de memoria RAM, ya que en la etapa actual de Android con 1 GB es más que suficiente, por lo que no aumentaría el rendimiento del terminal.

fuente: elchapuzasinformatico.com