Noticias
27/04/26, 09:45:42
La nueva arquitectura del Samsung Exynos 2700 ampliará su ventaja térmica sobre Snapdragon
https://static.htcmania.com/2026-04-26-22-04-29-26042026-53638-htcmania.webp
Samsung se ha propuesto dar un golpe de autoridad en el mercado de los semiconductores con su futuro chip Exynos 2700. Este procesador no es una simple evolución técnica sino un cambio radical en cómo se diseñan las tripas de un móvil moderno. En lugar del típico diseño de sándwich donde la memoria se apila sobre el núcleo la firma coreana usará una arquitectura Side-by-Side. Esto significa que la RAM y el procesador irán uno al lado del otro integrados a nivel de oblea para acortar las distancias de conexión. Gracias a este movimiento el ancho de banda de la memoria subirá entre un 30% y un 40% mejorando la fluidez de forma brutal. Al no estar apilados el calor ya no se queda atrapado en medio de los componentes lo que garantiza una estabilidad térmica muy superior a la que ofrece Qualcomm actualmente. El uso del proceso de 2 nm mejorado permite además un incremento del 12% en la potencia pura y un ahorro de energía del 25%. Al colocar el bloque de disipación cubriendo ambas piezas a la vez el rendimiento sostenido en juegos exigentes promete ser el nuevo referente del sector tecnológico. Es una jugada maestra para resolver definitivamente los problemas de calentamiento que lastraron a modelos previos.
fuente (https://wccftech.com/samsung-exynos-2700s-sbs-architecture-set-to-extend-thermal-lead-over-snapdragon-unlock-a-30-40-jump-in-memory-bandwidth/)
https://static.htcmania.com/2026-04-26-22-04-29-26042026-53638-htcmania.webp
Samsung se ha propuesto dar un golpe de autoridad en el mercado de los semiconductores con su futuro chip Exynos 2700. Este procesador no es una simple evolución técnica sino un cambio radical en cómo se diseñan las tripas de un móvil moderno. En lugar del típico diseño de sándwich donde la memoria se apila sobre el núcleo la firma coreana usará una arquitectura Side-by-Side. Esto significa que la RAM y el procesador irán uno al lado del otro integrados a nivel de oblea para acortar las distancias de conexión. Gracias a este movimiento el ancho de banda de la memoria subirá entre un 30% y un 40% mejorando la fluidez de forma brutal. Al no estar apilados el calor ya no se queda atrapado en medio de los componentes lo que garantiza una estabilidad térmica muy superior a la que ofrece Qualcomm actualmente. El uso del proceso de 2 nm mejorado permite además un incremento del 12% en la potencia pura y un ahorro de energía del 25%. Al colocar el bloque de disipación cubriendo ambas piezas a la vez el rendimiento sostenido en juegos exigentes promete ser el nuevo referente del sector tecnológico. Es una jugada maestra para resolver definitivamente los problemas de calentamiento que lastraron a modelos previos.
fuente (https://wccftech.com/samsung-exynos-2700s-sbs-architecture-set-to-extend-thermal-lead-over-snapdragon-unlock-a-30-40-jump-in-memory-bandwidth/)