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12/02/26, 15:00:12
13 Gbps y 48 GB: así es la nueva memoria de Samsung
https://static.htcmania.com/2026-02-12 08-26-57-12022026-52295-htcmania.webp
Samsung ha iniciado oficialmente la producción en masa y el envío comercial de su nueva memoria HBM4, posicionándose como uno de los primeros fabricantes en llevar esta tecnología al mercado. La compañía asegura haber logrado rendimientos estables desde el inicio gracias a su proceso DRAM de sexta generación en clase 10 nm (1c), sin necesidad de rediseños adicionales en la fase de producción. La nueva HBM4 alcanza velocidades de hasta 13 Gbps, superando ampliamente el estándar anterior y mejorando de forma notable frente a la generación HBM3E. En términos de ancho de banda, cada pila puede ofrecer hasta 3,3 TB/s, un salto importante para entornos donde la demanda de datos crece de la mano de modelos de inteligencia artificial cada vez más complejos. En cuanto a capacidad, Samsung ofrecerá configuraciones de 24 y 36 GB mediante apilado de 12 capas, mientras que las versiones de 16 capas permitirán alcanzar hasta 48 GB por stack. Para gestionar el aumento de pines de E/S —que se duplican hasta 2.048— la compañía ha implementado soluciones avanzadas de bajo consumo y optimización térmica. Según sus datos, la eficiencia energética mejora un 40% respecto a la generación anterior, junto a avances en disipación y resistencia térmica. Samsung prevé que las ventas de HBM se tripliquen el próximo año, impulsadas por la expansión de centros de datos y aceleradores GPU. Además, ya prepara la siguiente iteración, HBM4E, cuyo muestreo comenzará en la segunda mitad del año, consolidando su hoja de ruta en memorias de alto rendimiento para IA y supercomputación.
fuente (https://wccftech.com/samsung-hbm4-memory-mass-production-with-up-to-13-gbps-48-gb-capacities/)
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Samsung ha iniciado oficialmente la producción en masa y el envío comercial de su nueva memoria HBM4, posicionándose como uno de los primeros fabricantes en llevar esta tecnología al mercado. La compañía asegura haber logrado rendimientos estables desde el inicio gracias a su proceso DRAM de sexta generación en clase 10 nm (1c), sin necesidad de rediseños adicionales en la fase de producción. La nueva HBM4 alcanza velocidades de hasta 13 Gbps, superando ampliamente el estándar anterior y mejorando de forma notable frente a la generación HBM3E. En términos de ancho de banda, cada pila puede ofrecer hasta 3,3 TB/s, un salto importante para entornos donde la demanda de datos crece de la mano de modelos de inteligencia artificial cada vez más complejos. En cuanto a capacidad, Samsung ofrecerá configuraciones de 24 y 36 GB mediante apilado de 12 capas, mientras que las versiones de 16 capas permitirán alcanzar hasta 48 GB por stack. Para gestionar el aumento de pines de E/S —que se duplican hasta 2.048— la compañía ha implementado soluciones avanzadas de bajo consumo y optimización térmica. Según sus datos, la eficiencia energética mejora un 40% respecto a la generación anterior, junto a avances en disipación y resistencia térmica. Samsung prevé que las ventas de HBM se tripliquen el próximo año, impulsadas por la expansión de centros de datos y aceleradores GPU. Además, ya prepara la siguiente iteración, HBM4E, cuyo muestreo comenzará en la segunda mitad del año, consolidando su hoja de ruta en memorias de alto rendimiento para IA y supercomputación.
fuente (https://wccftech.com/samsung-hbm4-memory-mass-production-with-up-to-13-gbps-48-gb-capacities/)