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03/03/25, 08:20:53
Nueva memoria UFS 4.1 de Micron: más velocidad y eficiencia
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Micron ha presentado sus nuevos chips de almacenamiento UFS 4.1 y UFS 3.1 basados en la arquitectura G9, diseñados para potenciar el rendimiento y la eficiencia energética en smartphones de alta gama. Estas soluciones permitirán mejorar las capacidades de inteligencia artificial en dispositivos móviles, con opciones de almacenamiento que van desde 256GB hasta 1TB. Se espera que lleguen poco después del lanzamiento de la memoria LPDDR5X de la compañía en 2026. La arquitectura G9 introduce mejoras notables en la velocidad de lectura y escritura, junto con una mayor eficiencia energética, ideal para dispositivos ultrafinos y plegables. Además del hardware optimizado, Micron ha desarrollado varias mejoras de software enfocadas en optimizar la experiencia del usuario. Entre ellas destaca el soporte para Zoned UFS, que incrementa la eficiencia de lectura y escritura al reducir la amplificación de escritura. Asimismo, el sistema de defragmentación de datos mejora la reorganización interna del almacenamiento en un 60%, mientras que Pinned WriteBooster acelera el acceso a los datos almacenados en su búfer hasta en un 30%. Por otro lado, el Intelligent Latency Tracker analiza automáticamente los registros de latencia para detectar posibles problemas de rendimiento, estando disponible tanto en UFS 4.1 como en UFS 3.1. Estas optimizaciones hacen que los nuevos chips de Micron sean una opción atractiva para los fabricantes de smartphones que buscan integrar almacenamiento de alta velocidad con un impacto mínimo en el consumo energético.
fuente (https://www.gsmarena.com/micron_announces_its_ufs_41_and_ufs_31_storage_chi ps_based_on_g9_architecture-news-66771.php)
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Micron ha presentado sus nuevos chips de almacenamiento UFS 4.1 y UFS 3.1 basados en la arquitectura G9, diseñados para potenciar el rendimiento y la eficiencia energética en smartphones de alta gama. Estas soluciones permitirán mejorar las capacidades de inteligencia artificial en dispositivos móviles, con opciones de almacenamiento que van desde 256GB hasta 1TB. Se espera que lleguen poco después del lanzamiento de la memoria LPDDR5X de la compañía en 2026. La arquitectura G9 introduce mejoras notables en la velocidad de lectura y escritura, junto con una mayor eficiencia energética, ideal para dispositivos ultrafinos y plegables. Además del hardware optimizado, Micron ha desarrollado varias mejoras de software enfocadas en optimizar la experiencia del usuario. Entre ellas destaca el soporte para Zoned UFS, que incrementa la eficiencia de lectura y escritura al reducir la amplificación de escritura. Asimismo, el sistema de defragmentación de datos mejora la reorganización interna del almacenamiento en un 60%, mientras que Pinned WriteBooster acelera el acceso a los datos almacenados en su búfer hasta en un 30%. Por otro lado, el Intelligent Latency Tracker analiza automáticamente los registros de latencia para detectar posibles problemas de rendimiento, estando disponible tanto en UFS 4.1 como en UFS 3.1. Estas optimizaciones hacen que los nuevos chips de Micron sean una opción atractiva para los fabricantes de smartphones que buscan integrar almacenamiento de alta velocidad con un impacto mínimo en el consumo energético.
fuente (https://www.gsmarena.com/micron_announces_its_ufs_41_and_ufs_31_storage_chi ps_based_on_g9_architecture-news-66771.php)