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27/10/23, 17:00:20
SK Hynix lanza la RAM más rápida y eficiente para smartphones
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Esta semana, Qualcomm presentó su nuevo chipset insignia para smartphones, el Snapdragon 8 Gen 3, compatible con las memorias RAM LPDDR5X y LPDDR5T. Mientras que Samsung fabrica la LPDDR5X, su rival surcoreano SK Hynix es el creador de la LPDDR5T. Lo más llamativo es que esta última es más rápida y está lista para su uso en smartphones de alta gama. SK Hynix ha anunciado que sus chips LPDDR5T han completado el proceso de verificación para garantizar su compatibilidad con el nuevo Snapdragon 8 Gen 3. Estos chips, que se anunciaron en enero de 2023, estarán disponibles en paquetes de 16GB y ofrecen una tasa de datos máxima de 9.6Gbps, aproximadamente un 12.5% más rápido que la memoria LPDDR5X de Samsung, que tiene una tasa de 8.5Gbps. Además, SK Hynix afirma que estos nuevos chips son los más eficientes en términos de energía en su clase, funcionando a un voltaje muy bajo de entre 1.01 y 1.12V. La compañía ha empleado el proceso HKMG (High K Metal Gate) para mejorar el rendimiento y la eficiencia de estos chips, que funcionan a un 10% menos de voltaje que la LPDDR5X. Con la llegada de estos nuevos chips, SK Hynix espera ganar una cuota de mercado significativa antes del lanzamiento del nuevo estándar LPDDR6 DRAM.
fuente (https://www.sammobile.com/news/sk-hynix-lpddr5t-dram-snapdragon-8-gen-3-smartphones-verified/)
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Esta semana, Qualcomm presentó su nuevo chipset insignia para smartphones, el Snapdragon 8 Gen 3, compatible con las memorias RAM LPDDR5X y LPDDR5T. Mientras que Samsung fabrica la LPDDR5X, su rival surcoreano SK Hynix es el creador de la LPDDR5T. Lo más llamativo es que esta última es más rápida y está lista para su uso en smartphones de alta gama. SK Hynix ha anunciado que sus chips LPDDR5T han completado el proceso de verificación para garantizar su compatibilidad con el nuevo Snapdragon 8 Gen 3. Estos chips, que se anunciaron en enero de 2023, estarán disponibles en paquetes de 16GB y ofrecen una tasa de datos máxima de 9.6Gbps, aproximadamente un 12.5% más rápido que la memoria LPDDR5X de Samsung, que tiene una tasa de 8.5Gbps. Además, SK Hynix afirma que estos nuevos chips son los más eficientes en términos de energía en su clase, funcionando a un voltaje muy bajo de entre 1.01 y 1.12V. La compañía ha empleado el proceso HKMG (High K Metal Gate) para mejorar el rendimiento y la eficiencia de estos chips, que funcionan a un 10% menos de voltaje que la LPDDR5X. Con la llegada de estos nuevos chips, SK Hynix espera ganar una cuota de mercado significativa antes del lanzamiento del nuevo estándar LPDDR6 DRAM.
fuente (https://www.sammobile.com/news/sk-hynix-lpddr5t-dram-snapdragon-8-gen-3-smartphones-verified/)