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22/05/23, 10:27:19
Samsung revelará procesos de fabricación de chips de 3nm y 4nm en junio
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Samsung Foundry tiene previsto revelar sus avanzados procesos de fabricación de chips de 3nm y 4nm en el Simposio VLSI 2023, que se celebrará en junio en Kyoto, Japón. Estos nuevos procesos son fundamentales para Samsung Foundry, ya que podrían permitirle captar más clientes. Samsung ha recibido críticas por su proceso de 4nm, que no fue tan eficiente como el proceso de 4nm de TSMC. Los chips producidos con los procesos SF3 (3nm GAP) y SF4X (4nm EUV) de Samsung Foundry prometen un rendimiento y eficiencia mejorados. El proceso SF3 de Samsung empleará la tecnología 3nm GAP, una versión mejorada de su predecesor SF3E, y contará con una versión optimizada del transistor GAA de Samsung, denominado MBCFETs. Comparado con SF4, se espera que SF3 sea un 22% más rápido a la misma potencia o un 34% más eficiente energéticamente a las mismas velocidades y conteo de transistores. Samsung afirma que su proceso SF3 permite variar los anchos del canal de lámina nanométrica en los mismos tipos de celdas. Se rumorea que el proceso de 3nm de segunda generación de Samsung podría ser utilizado para el Exynos 2500 y el Snapdragon 8 Gen 4.
fuente (https://www.sammobile.com/news/improved-samsung-3nm-4nm-chips-june-2023/)
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Samsung Foundry tiene previsto revelar sus avanzados procesos de fabricación de chips de 3nm y 4nm en el Simposio VLSI 2023, que se celebrará en junio en Kyoto, Japón. Estos nuevos procesos son fundamentales para Samsung Foundry, ya que podrían permitirle captar más clientes. Samsung ha recibido críticas por su proceso de 4nm, que no fue tan eficiente como el proceso de 4nm de TSMC. Los chips producidos con los procesos SF3 (3nm GAP) y SF4X (4nm EUV) de Samsung Foundry prometen un rendimiento y eficiencia mejorados. El proceso SF3 de Samsung empleará la tecnología 3nm GAP, una versión mejorada de su predecesor SF3E, y contará con una versión optimizada del transistor GAA de Samsung, denominado MBCFETs. Comparado con SF4, se espera que SF3 sea un 22% más rápido a la misma potencia o un 34% más eficiente energéticamente a las mismas velocidades y conteo de transistores. Samsung afirma que su proceso SF3 permite variar los anchos del canal de lámina nanométrica en los mismos tipos de celdas. Se rumorea que el proceso de 3nm de segunda generación de Samsung podría ser utilizado para el Exynos 2500 y el Snapdragon 8 Gen 4.
fuente (https://www.sammobile.com/news/improved-samsung-3nm-4nm-chips-june-2023/)