Nonamed
19/03/20, 15:35:45
La nueva memoria eUFS 3.1 de 512GB de Samsung es el triple de rápida que la anterior
https://www.galeriade.com/htcmania/data/media/2/samsungufs31.jpg
Leemos en teknofilo.com
"Samsung ha anunciado el comienzo de la producción en masa de la primera memoria eUFS 3.1 de 512 GB de la industria, para su uso en smartphones de gama alta. La nueva eUFS 3.1 de Samsung ofrece tres veces la velocidad de escritura de la memoria móvil anterior de 512 GB eUFS 3.0 y rompe con el umbral de rendimiento de 1GB/s en el almacenamiento de smartphones. «Con esta nueva solución de almacenamiento móvil más rápida, los usuarios de smartphones ya no tendrán que preocuparse por aquellos problemas que suelen aparecer con las tarjetas de almacenamiento convencionales», afirmó Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria en Samsung Electronics. Con una velocidad de escritura secuencial de más de 1.200 MB/s, la memoria Samsung eUFS 3.1 de 512 GB cuenta con más del doble de velocidad que un ordenador basado en SATA (540 MB/s) y más de diez veces la velocidad de una tarjeta microSD UHS-I (90 MB/s). Los teléfonos con el nuevo eUFS 3.1 tardarán, aproximadamente, 1,5 minutos en mover 100 GB de datos, mientras que los teléfonos basados en UFS 3.0 requieren más de cuatro minutos."
fuente: teknofilo.com (https://www.teknofilo.com/la-nueva-memoria-eufs-3-1-de-512gb-de-samsung-es-el-triple-de-rapida-que-la-anterior/)
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"Samsung ha anunciado el comienzo de la producción en masa de la primera memoria eUFS 3.1 de 512 GB de la industria, para su uso en smartphones de gama alta. La nueva eUFS 3.1 de Samsung ofrece tres veces la velocidad de escritura de la memoria móvil anterior de 512 GB eUFS 3.0 y rompe con el umbral de rendimiento de 1GB/s en el almacenamiento de smartphones. «Con esta nueva solución de almacenamiento móvil más rápida, los usuarios de smartphones ya no tendrán que preocuparse por aquellos problemas que suelen aparecer con las tarjetas de almacenamiento convencionales», afirmó Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria en Samsung Electronics. Con una velocidad de escritura secuencial de más de 1.200 MB/s, la memoria Samsung eUFS 3.1 de 512 GB cuenta con más del doble de velocidad que un ordenador basado en SATA (540 MB/s) y más de diez veces la velocidad de una tarjeta microSD UHS-I (90 MB/s). Los teléfonos con el nuevo eUFS 3.1 tardarán, aproximadamente, 1,5 minutos en mover 100 GB de datos, mientras que los teléfonos basados en UFS 3.0 requieren más de cuatro minutos."
fuente: teknofilo.com (https://www.teknofilo.com/la-nueva-memoria-eufs-3-1-de-512gb-de-samsung-es-el-triple-de-rapida-que-la-anterior/)