Nonamed
29/05/18, 10:50:07
Gate-all-around, la estructura de transistores cilíndricos con la que Samsung quiere llegar a los 3 nanómetros en 2020
https://www.galeriade.com/htcmania/data/media/2/oie_6141336mVF5td2B.jpg
Leemos en xatakamovil.com
<< De igual forma que Ant-Man demostró, en su película en solitario, que se podía romper la barrera subatómica a la hora de reducir su cuerpo, el mundo de los semiconductores lleva años empujando el límite teórico del silicio. Demostrando que las suposiciones iniciales eran incorrectas, y que el material es capaz aún de servir de base para los procesadores de muchas más generaciones. Pero tan importante o más es el tamaño de los transistores, que este año llegará a los 7 nanómetros en el entorno móvil, como la forma en la que éstos se engarzan. Las conexiones entre los mismos, que han de ser eficientes para ganar velocidad y producir la menor cantidad de electrones perdidos posible. Ahí es donde Samsung quiere entrar con una nueva estructura, la conocida como gate-all-around que les permitirá "bajar" hasta los 3 nanómetros en el año 2022. >>
fuente: xatakamovil.com (https://www.xatakamovil.com/samsung/gate-all-around-la-estructura-de-transistores-cilindricos-con-la-que-samsung-quiere-llegar-a-los-3-nanometros-en-2020)
https://www.galeriade.com/htcmania/data/media/2/oie_6141336mVF5td2B.jpg
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<< De igual forma que Ant-Man demostró, en su película en solitario, que se podía romper la barrera subatómica a la hora de reducir su cuerpo, el mundo de los semiconductores lleva años empujando el límite teórico del silicio. Demostrando que las suposiciones iniciales eran incorrectas, y que el material es capaz aún de servir de base para los procesadores de muchas más generaciones. Pero tan importante o más es el tamaño de los transistores, que este año llegará a los 7 nanómetros en el entorno móvil, como la forma en la que éstos se engarzan. Las conexiones entre los mismos, que han de ser eficientes para ganar velocidad y producir la menor cantidad de electrones perdidos posible. Ahí es donde Samsung quiere entrar con una nueva estructura, la conocida como gate-all-around que les permitirá "bajar" hasta los 3 nanómetros en el año 2022. >>
fuente: xatakamovil.com (https://www.xatakamovil.com/samsung/gate-all-around-la-estructura-de-transistores-cilindricos-con-la-que-samsung-quiere-llegar-a-los-3-nanometros-en-2020)